International Sematech将于4月13到15日在加州的Burlingame主办3D互连研讨会。随后于4月14日至15日举办的行业会议也将探讨3D集成和封装技术。该会议将与RTI(Research Triangle Park, N.C.)International联合主办。
传统的器件缩放已将片上互连推至物理极限。3D互连有望实现相似的性能和密度,使存储、逻辑和光电器件能在垂直三维空间内互连。
侧重于3D技术、建模和工艺的Sematech研讨会将由Renssalear工艺学院的James Lu和Dhivya Krishna、斯坦福大学的Krishna Saraswat、摩托罗拉公司的Jon Candeleria、EV Group的Paul Lindner及MIT的Rafael Reif发表主题演讲。
Sematech互连总监Navjot Chhabra表示,“ISMT的战略蓝图显示,3D互连是有望增强IC系统性能和功能性的连接技术。”
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