NOR闪存巨头Spansion首度亮相IIC,MirrorBit技术对抗NAND闪存

作者:潘九堂

全球最大的NOR闪存供应商Spansion LLC(飞索半导体)首度参加了第十届国际集成电路研讨会暨展览会(2005 IIC-China),展出了其全系列NOR闪存产品,包括5V、3V和1.8V的产品、容量从1到512Mb的产品和单片或者多芯片产品(MCP)。Spansion于2003年成立,由AMD和富士通的闪存部门合并而成,资产超过30亿美元,全球员工超过7,500名。据称这也是成立后的Spansion第一次高调参加在中国举行的同类展会。

Spansion展出的产品主要包括三个系列。其中WS-N产品系列是采用基于110nm MirrorBit技术的多芯片(MCP)封装产品,应用于无线手机市场,据称Spansion占据着亚太地区60%的MCP市场。GL-N产品系列是高容量的单片NOR闪存产品,应用于嵌入式市场,如STB、GPS、switches和routers等。GL-M产品系列是中等容量的NOR闪存产品,应用于嵌入式市场,如DVD player和recorder、modem、VOIP电话等。为了迎接欧盟的RoHS规定,Spansion利用无铅闪存封装。除了将于2005年第三季度上市的PLCC和PDIP封装以外,所有封装目前都已提供无铅样品和订购。

针对NOR闪存市场上英特尔的价格战,Spansion的工作人员表示,Spansion拥有成本优势,并不惧怕。相反,Spansion认为自己的主要竞争对手并不是英特尔,而是三星电子和东芝等NAMD闪存厂商。3G手机、便携媒体播放器(PMP)等新兴应用带来了大量存储要求,使NAND闪存风光无限,却给NOR闪存厂商带来了挑战。目前手机中的主流存储解决方案为NOR闪存+SRAM的多芯片封装产品。但不少NAND闪存厂商认为,未来手机是NAND闪存+LPSDRAM的天下,NOR闪存+SRAM将局限于低端手机。对此,Spansion的工作人员表示,随着NOR闪存也在大力提升密度和性价比,未来胜负来定,更有可能是NAND+NOR+SRAM的三合一解决方案。

MirrorBit技术被Spansion认为是与NAND闪存竞争的法定。与英特尔采用MLC技术提升NOR闪存密度不同的是,Spansion通过专利MirrorBit技术的对称式设计将闪存阵列的密度增加了一倍,并且简化了制造流程和提高了良率,最终在提升密度的同时并没有牺牲产品性能。Spansion的工作人员介绍说,计划在2005年稍晚的时候推出采用90nm工艺的1Gb NOR闪存。

除了在产品研发上发力外,自2004年下半年来Spansion加大了对外的营销推广力度。目前Spansion的产品在中国市场分别通过AMD和富士通的渠道和品牌进行销售,Spansion管理。目前Spansion的产品线已经开始整合,除了原有AMD和富士通各自的产品编号外,新的产品线将以“Spansion”为品牌统一编号,并且Spansion正在积极协助客户由原有的产品转入性能改良后的新产品。