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自从IBM公司在1957年推出磁盘驱动器,存储在磁性薄膜上的信息密度已增长了200万倍。如今市面上已有每平方英寸存储70Gb的驱动器,而且研究项目证实密度高出三倍。令人眼花缭乱的发展步伐已超过了硅VLSI技术的成长曲线,并受限于基本的材料研究。
在最近举行的材料研究学会上,没有迹象表明革新的步伐将放缓。日立公司研究中心的Bruce Terris介绍了一种在二氧化硅表面生长钴钯纳米级岛的工艺,据他称这将使磁性媒介密度增加到太位/平方英寸。
而理论预测表明,现有方法大约在100 Gb/inch2处存在物理极限,纳米级岛技术能避免达至此极限的因素。该工艺是在一个与IBM Almaden研究中心研究人员合作开展的项目中开发的。该工艺能够创建能减少相邻比特之间串扰的垂直极化磁性域。
另外一项创新是规则的纳米图形工艺,能够绝缘岛上的单个磁性域,从而打破物理上的热极限。
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