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飞利浦研究院的科学家最近制造成功能被用于增强手机射频电路性能并减小尺寸的MEMS(微机电系统)电容。
该器件是一种精微可变电容,采用传统晶圆加工工艺即可被集成进硅IC内。飞利浦研究院声称,最大和最小电容比率高达17,Q因子高达500,因此事实上超越了迄今为止所报道的所有其它类型的器件。
这片MEMS在硅片上部的金属层的一块区域下,蚀刻出一条能够通过所加电压产生的静电吸引而上下移动的金属梁。在MEMS电容开关动作的情况下,它移动到与梁下面介电质层接触的位置。飞利浦用于制造附带高Q值电感和固定值MIM(金属-绝缘体-金属)电容的MEMS电容所采用的加工工艺名为PASSI。
PASSI/MEMS据称能减小手机功放及其天线之间阻抗匹配网络的尺寸,所需的PCB面积比当今的分立元件网络小一半。
为了节省功率而利用了动态匹配,以精确匹配所有RF功率级到天线的放大器。飞利浦研究院还采用了MEMS电容技术制造RF MEMS开关。该公司表示将用MEMS器件取代PIN二极管开关。
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