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Jazz将推全球最快SiGe技术 全力竞逐SiGe代工市场

  2003年09月05日  

近18个月前从科胜讯系统公司分离出来的硅锗代工专业公司Jazz Semiconductor目前正在全力开发据称是全球最快的SiGe技术。

Jazz期望研制出SiGe和CMOS工艺各自独立的130纳米版本,从而向0.13微米市场发起猛烈冲击。按照Jazz公司的产品路线图,其0.13微米SiGe技术定于2004年出原型,据说能在300 GHz (Ft)工作,比现有的高速200 GHz (Ft)SiGe工艺速度快1.5倍。

Jazz市场执行总监Jeff McHenry表示,该公司还准备推出其现有0.18微米SiGe技术的100GHz版本,面向低成本、集成无线及有线应用。

据McHenry称,该公司具备强大的SiGe及“代工兼容”的CMOS工艺技术产品组合,但Jazz将主要专注于新兴的SiGe代加工业务。Jazz不打算将CMOS工艺作为主营重点,以避免与台湾及新加坡的代工巨头构成竞争。相反,CMOS工艺只是补充其核心SiGe业务,面向专用RF CMOS应用。他在接受采访时说,“这样,我们就能与台积电和联电等公司区分开来。”

具有讽刺意味的是,台积电是从科胜讯公司取得SiGe工艺的许可,而且台积电也在角逐SiGe代工市场。分析家表示,但Jazz主要的竞争对手是SiGe技术及其代工市场的先驱IBM微电子公司。Atmel、Communicant及其它公司也提供SiGe代工业务。

此外,英特尔、摩托罗拉、德州仪器及其它集成器件制造商都在开发自主的SiGe工艺。

今年年初,Jazz与中国上海的宏力半导体(ASMC)成立了一个硅制造合资企业企业,Jazz计划将向该企业注入混合信号及RF技术包括双极型CMOS及SiGe BiCMOS工艺技术。中国市场是Jazz未来销售和生产的重点所在。McHenry表示,“我们的扩张计划将在中国。”


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