意法半导体(ST)日前发布了据称器件尺寸最小的NOR闪存,适用于低电压及高效能应用。采用90纳米工艺技术,ST最新的NOR闪存仅占据0.08u mm的硅芯片面积,据称尺寸比采用130纳米的同级产品减小了50%。
新的90纳米NOR闪存工艺技术是由ST位于意大利Agrate的非挥发性内存研究中心所开发的。ST非挥发性内存研究中心总监Paolo Cappelletti表示:“与当前的130纳米技术相比,新的90纳米技术具有两项主要优势:更大程度地减小芯片面积,以及增加芯片上周边CMOS电路的效能,使其能读取被写入到内存数组中的资料。”Cappelletti进一步指出,采用新技术来减小50%的芯片面积,相当于可为128Mbit,甚至更大容量的内存组件减少40%的芯片面积,这将显著地减少每位的成本。
ST副总裁兼研发中心总监Joel Monnier则强调:“透过同时改良内存密度与CMOS逻辑效能,新的90纳米技术将进一步强化ST在系统单芯片(SoC)的领先地位,因为SoC的设计必须将嵌入式内存与复杂的数字、模拟电路整合在单芯片上。”
ST强调,该公司是全球第四大NOR闪存供货商,现在ST也成为全球率先成功地使用90纳米工艺生产NOR闪存的供货商。此次采用的新技术已经在数兆位的展示芯片上通过验证,这些内存的所有数组区块均展现出完整的功能性。此外,ST也已经利用相同的晶圆发展128Mbit的闪存原型芯片,目前该产品已进入评估阶段。ST预计在2004年将全面转移至90纳米工艺。
据了解,NOR闪存是全球闪存市场中所占比重最大的一环,它被广泛地应用在行动电话、视讯转换盒、个人计算机、汽车引擎管理系统,以及其它多种应用。
京公网安备 11011202001138号
