台积电(TSMC)日前宣布以先进的90纳米Nexsys工艺技术为多家客户量产芯片,并将于2005年大幅增加产能,以满足客户对90纳米先进工艺技术的需求。
台积电据称是目前全球唯一同时提供全铜、低介电系数(Low-k)及12英寸晶圆90纳米工艺技术的专业集成电路制造服务公司。该公司的90纳米工艺产品出货给多家客户,如Altera和高通(Qualcomm)等公司,也包括一些集成元件制造商(IDM)。台积电表示,在2004年第四季中每个月的90纳米12英寸晶圆出货量已达数千片,2005年的单月出货量预计将大幅增加。
台积电是在2004年第三季度开始以90纳米工艺为客户量产芯片的。在此之前,该公司已为多家客户进行试产,并且号称第一次产出就成功通过功能验证。总计2004年共有约40个客户以单一产品腌膜(single-product mask)试产,另有30个以上的产品以分享掩膜(mask-sharing Cybershuttle)的方式验证。这当中约有10个产品已经正式进入量产,其它的产品则分别在品质验证或设计验证等阶段。
台积电行销副总经理胡正大表示,客户对90纳米工艺的需求在2005年将快速成长,并涵盖了消费、通信、计算机以及其它各种应用范围。其中通信应用在未来几季度中的成长将明显高于其它应用类型。为满足客户强劲的需求,台积电已经积极在扩充晶圆十二厂(Fab12)的产能,同时也计划加速晶圆十四厂(Fab14)90纳米工艺技术的量产。
他同时表示,台积电的90纳米工艺不但为客户提供密度更高、体积更小的芯片,同时又具备更高性能、更低耗电以及以十二英寸晶圆生产的低成本等竞争优势。此外,台积电所提供的“可制造性设计”(Design for Manufacturing)能够协助客户缩短从产品设计到量产所需要的时间。
台积电90纳米Nexsys工艺技术是一个整合性的系统级芯片(SoC)平台,在互补金氧半导体(CMOS)逻辑工艺以及混合信号工艺上,提供单晶体管存取内存(1TRAM)、六个晶体管存取内存(6TRAM)以及八个晶体管存取内存(8TRAM)等各式高密度嵌入式内存设计选择。此外,还可满足不同产品设计中电压、速度以及漏电流最佳化的模块。台积电90纳米Nexsys逻辑工艺系列分成泛用型(G) 、低耗电量(LP)以及高速(GT)工艺三种。每一种工艺都为客户提供低、标准、高的多种电压规格的选择,其运行电压在1伏特到1.2伏特之间,输入/输出电压在1.8伏特到3.3伏特之间。静态随机存取内存电路元的大小在1.65平方微米到0.99平方微米之间。
台积电同时为其Nexsys工艺提供了Reference Flow 5.0 版集成电路设计软件。据称这是业界第一套同时具有耗电收敛(critical power closure)以及封装设计(chip-to-package)双重功能的纳米级系统单芯片集成电路设计软件。
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