美光豪赌PSRAM和NAND闪存市场

伴随着手机和闪存卡的快速销售,美光科技(Micron)正致力于提升其用于这些产品的存储器芯片销售额。

美光已经开始生产128Mb的伪静态RAM(PSRAM),它是包含一个SRAM接口的专用DRAM。该公司宣称,由于PSRAM具有高密度存储器阵列和类似SRAM的特性,近几年它已经赶超用于手机的六晶体管SRAM,并在用于手机的RAM市场中占有60%的份额。

美光对新器件寄予厚望。它是市场上为数不多的高密度PSRAM芯片之一,也是美光第一款使用更小存储单元结构的移动RAM芯片,该结构之前被用于PC DRAM上。

传统DRAM单元的大小等于光刻特征尺寸的平方乘以系数8 (8F2)。不过,美光表示,它已经压缩了该单元,使系数减小到6(6F2)。

除了将裸片尺寸减小20%(这意味着更低的生产成本)外,较小的单元尺寸还能缩短存储器的信号线长度,降低电容并提高性能。

当其他供应商正准备以类似方式来缩小其存储单元时,美光声称它已经领先国际半导体技术发展蓝图(ITRS)4年了。

美光计划向生产多芯片封装(MCP)的公司以及也提供MCP的NOR闪存制造商付运其版本的PSRAM,称为CellularRAM。目前,美光尚无计划直接向手机制造商销售它自己的MCP。

与此同时,美光正在准备在今年第四季度开始量产其首款NAND闪存器件,这是一款用于闪存卡的2Gb芯片。明年,1Gb器件将紧随其后。这种NAND器件将采用美光最先进的90纳米工艺技术制造。

几家半导体制造商最近进入了NAND闪存市场,并期望这种器件能在很大程度上取代手机中的NOR器件。在这个价值26亿美元的市场中,三星和东芝占有最大的份额。瑞萨科技和新加入的英飞凌科技、意法半导体、韩国Hynix半导体以及Spansion公司也正在生产NAND型器件。

美光表示,它将是制造更大容量芯片(2Gb)的少数公司之一。“现在,我们拥有的客户数量都已经超过了我们的服务能力,”美光高级市场总监Achim Hill表示。

美光曾试图为闪存卡制造NOR闪存,但几年前当它认识到NOR明显无法与NAND的高密度优势竞争时,就放弃了。“市场正在往什么方向发展完全没有悬念,”美光战略市场规划师Paul Dlugosch表示。

“更进一步,随着芯片组供应商为他们的器件添加所需的存储器接口电路,手机制造商计划同时采用NAND和移动DRAM,”Dlugosch补充道。

作者:赵子龙