南茂科技公司(ChipMOS Technologies Inc.)近日宣布开始为基于DDR2的DRAM推出芯片封装和测试服务。
下一代内存DDR2 DRAM估计在2004年可以问世,2005年开始标准化生产。该内存技术提供更高带宽,也提高了FBGA封装的密度。
为解决由FBGA引起的问题,南茂科技公司采用了一种早已用于生产、突破性的封装技术。同时,该公司将会升级芯片测试平台用于DDR2要求的高速脉冲测试。
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南茂科技公司(ChipMOS Technologies Inc.)近日宣布开始为基于DDR2的DRAM推出芯片封装和测试服务。
下一代内存DDR2 DRAM估计在2004年可以问世,2005年开始标准化生产。该内存技术提供更高带宽,也提高了FBGA封装的密度。
为解决由FBGA引起的问题,南茂科技公司采用了一种早已用于生产、突破性的封装技术。同时,该公司将会升级芯片测试平台用于DDR2要求的高速脉冲测试。
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