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飞兆授权GEM使用BGA功率器件封装技术

  2004年03月29日  

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布与半导体组装和测试承包商GEM Services公司达成授权协议,提供飞兆半导体MOSFET封装技术,作为功率半导体市场的开放工具。

通过协议,飞兆半导体的球栅阵列(BGA)功率器件封装技术将可供其它半导体供应商使用。据称开放这工具可让用户从多个来源获取原本是专有的BGA技术,从而提高产品的供应性和降低用户的供应链风险。

GEM Services总裁兼首席执行长Richard J. Kulle说:“飞兆半导体是唯一一家制造商,全批量生产单及双N、P沟道BGA MOSFET。这些器件能减少元件数目,并同时提高功率器件的电气性能和热性能达两倍甚至有时四倍。”

据介绍,飞兆半导体于1999年开发并推出首项用于MOSFET的BGA技术。在2002年,该公司推出全线下一代BGA封装MOSFET系列产品,除了维持传统的封装尺寸特点外,更大幅提升其热性能和电气性能。与目前同类应用中使用的标准引脚封装相比,飞兆半导体的BGA技术提供重要的性能优势包括:低栅、漏和源电感;低栅、漏和源阻抗;低侧高(0.9mm以下);低热阻;可从封装的顶部和底部进行散热;高电流密度;以及FFOM性能(封装性能系数-RDS(on)x封装占位面积)。


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