基于碳纳米管的场效应晶体管研究获新进展
在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，中科院化学所有机固体院重点实验室刘云圻研究员和朱道本院士等，在基于碳纳米管的场效应晶体管研究领域取得新进展， 基于碳纳米管的电子器件是纳米电子学的热点研究课题之一，具有重要的科学意义和应用前景。场效应晶体管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件，是微电子学中最重要的单元器件之一。
该研究把这种微电子学中的掺杂技术扩展到纳米电子学中。首先制备了氮掺杂的多壁碳纳米管，然后利用聚集离子束技术制备了基于单根碳纳米管的场效应晶体管。氮掺杂的碳纳米管显示n-型半导体特性，电子迁移率高达895cm2/Vs。另外他们还详细研究了碳纳米管和铂电极间的接触特性。输运实验的温度依赖性研究表明输运过程由热电子发射和通过0.2 eV肖特基接触位垒的隧穿所控制。由于一般碳纳米管均显示p-型半导体特性，该研究的成功为进一步开展碳纳米管器件化研究奠定了基础。有关研究成果发表在 J. Am. Chem. Soc. (2005, Vol. 127, No. 24, p.8614-8627)上。
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