SRAM

SRAM

通信应用对SRAM的强劲需求以及向高利润产品的转移推动着SRAM价格上扬

价格可能是今天SRAM市场的最大问题。通信应用对SRAM的需要越来越大,加上半导体供应商正将其产品系列转向更有利可图的存储器产品,使得价格不断上升,并延长了交货时间。

“1999年第四季度,SRAM制造商将其价格平均提高了10%,至少在2000年的整个上半年仍将保持这一高价格,” Semico调研公司分析家Sherry Garber说。

SRAM的平均销售价格(ASP)从去年第一季度的3.54美元上升到第四季度的4.45美元。Semico预计ASP在2000年将达到5.64美元。

根据制造商的说法,交货周期平均为14至16个星期。

Integrated Device Technology公司市场副总裁Dave Cote说:“对高性能标准及通信存储器的需求早已超过人们对这一市场回弹速度的关心。”不断提升的价格将带来极大的收益及强劲的增长。1999年,世界范围的SRAM市场为47亿美元及11.9亿个SRAM。尽管2000年的销售量将下降5.9%,约为112万个,其收入仍将上升39.4%,达到63亿美元。通信市场希望其增长速度更快,达到SRAM销售的59.1%。

领先的SRAM供应商目录

Cypress Semiconductor Corp.

3901 N. First St.

San Jose, Calif. 95134

(408) 943-2600, (800) 858-1818

发展

Cypress用了去年整整一年的时间以SRAM供应商的身份在蜂窝电话市场占据一席之地。“1998年Cypress还未进入蜂窝电话市场,1999年我们就销售了大约300万部电话,”营销部副总裁Dan McCranie说,“2000年,我们最少将卖出1千万部电话。我们在开发中结合了蜂窝设计及芯片结构,为蜂窝电话构建高速、低功率的SRAM。”该公司现已提供其MoBL系列的1-、2-,和 4MSRAM产品。

在1999年下半年,该公司开始在其位于Bloomington的晶圆厂生产8英寸、0.5μm产品,该工厂将于今年第三季度投入生产。Cypress在菲律宾新建了一条测试及组装生产线,每季度可加工450万个FBGA封装器件。

计划

今年下半年,Cypress将推出其MoBL系列的8Mb和16Mb微功率SRAM。该公司还将进入双数据速率(DDR)SRAM领域。McCranie说“我们正在制订32Mb部件的计划,当我们达到0.12μm的工艺技术后,还将制造64Mb部件。”

Hitachi Semiconductor (America) Inc.

179 E. Tasman Dr.

San Jose, Calif. 95134

(800) 285-1601

发展

虽然Hitachi继续支持慢速SRAM市场,但其产品大多是高速SRAM。去年,该公司声称推出了一种能够在500MHz速率下工作的SRAM,其抵抗宇宙射线诱导软错误的能力提高了100倍,这种错误是移动电脑用户乘坐飞机时碰到的最头痛的问题。

这种新技术还采用了shallow triple-well结构和一种堆栈存储器单元机构。

该公司还开始建造一个12英寸、0.13μm晶圆加工厂。新工厂是台湾UMC与Hitachi的合资企业,将于2001年下半年投入生产。

计划

今年年底,Hitachi将为低功率及低电压应用提供8Mb SRAM,还将提供8Mb和18Mb同步SRAM。最后,该公司还将推出具有333和500MHz工作周期的1Mb至9Mb SRAM,以支持较大的Level 2和Level 3 cache应用。

IBM Corp.

Microelectronics Division

1580 Rte. 52

Hopewell Junction, N.Y. 12533

(914) 894-2121

发展

IBM在1999年继续推动着性能的提高。IBM提供具有双倍和单数据性能的1-、4-和8Mb高速SRAM。

“我们不断推动性能的提高,但我们的用户要求更多,” SRAM应用及市场经理Roger Verhelst说,“过去一年来,向DDR功能的转移过程虽然缓慢,但很稳定。”

1999年2月,IBM推出了带DDR功能的8Mb SRAM。这些器件速度可达600MHz。

IBM的高端策略带来了收益。“对我们的客户来说,1999年是令人兴奋的,这在很大程度上要归因于Internet基础设施的销售,”Verhelst说,“今年到现在为止,这一发展趋势仍在继续,所以我们估计2000年仍将有很好的销售成绩。”

计划

未来一年将继续发展IBM的产品系列。“我们希望继续活动于SRAM舞台,向用户提供更高的密度和更高的性能,以满足用户需求,” Verhelst说,“我们将在三到五年内向不同的高速缓存功能转移,它不是基于SRAM。”

Integrated Device Technology Inc.

2975 Stender Way

Santa Clara, Calif. 95054

(408) 492-8671, (800) 345-7015

发展

过去一年来,IDT将重点放在通信市场。市场副总裁Dave Cote说:“我们确实将重点放在通信市场,并且努力制造更多通信专用产品。”今年8月,IDT推出了与Micron Technology合作开发的Zero Bus Turnaround结构,适于路由器及交换机应用。

目前,该公司提供4Mb至9Mb的产品。

该公司还与Cypress和Micron合作制订了四倍数据速率SRAM规范。现已提供样品。

计划

IDT将努力提高其首个四倍数据速率SRAM??512-K ?18器件的产量。该公司称,这些产品可实现333-MHz的性能。该器件最终将用于下一代交换机和路由器,它们在数据速率高于200 MHz的条件下工作。

Mitsubishi Electronics America Inc.

Electronic Device Group

1050 E. Arques Ave.

Sunnyvale, Calif. 94086

(408) 730-5900

发展

今年,Mitsubishi的电子器件部推出了两种产品,它们在可进行表面贴装的堆栈式芯片级封装中结合了该公司的BGO DINOR闪速存储器和低功率SRAM (LPSRAM)。该公司称,这种产品将16Mb闪速存储器与4或2Mb LPSRAM结合起来,以满足手机及GPS市场的需求。

Mitsubishi可批量提供16和32Mb SRAM。另外,该公司也为蜂窝电话生产2、4和8Mb低功率SRAM。

计划

在未来一年中,Mitsubishi的电子器件部将增加其16Mb SRAM的生产,预计月产量将达1,000万件。该公司还将提供多种选择以满足容量需求。

“我们面临的最大挑战是提高容量以满足市场期望,”存储部门的助理副总裁Narayan Purohit说,“由于容量问题变得越来越重要,我们必须考虑能够得到的各种选择方案。”

Motorola Inc.

Semiconductor Products Sector

5005 E. McDowell Road

Phoenix, Ariz. 85008

(602) 244-7346

发展

1999年3月,Motorola宣布推出超快SRAM,它采用铜互连技术来获得超低功耗。这种超快8Mb Late Write SRAM将铜互连技术与0.15μm CMOS技术相结合起来,提供优于333MHz的性能。Motorola FSRAM零件编号为MCM63R836FC,可提供Level 2 cache性能,功耗却比以前的BiCMOS FSRAM低50%至75%。1999年第二季度,该公司还推出了两种HiPerMOS产品??4Mb Late Write SRAM和8Mb双倍数据速率元件。

Motorola还提供同步SRAM(包括集成cache)和异步SRAM(如BurstRAM)、根据内容寻址(content-addressable)的存储器、双端口存储器、FSRAM和Tag RAM。

计划:无

NEC Electronics Inc.

2880 Scott Blvd.

Santa Clara, Calif. 95050

(408) 588-6000

计划

NEC声称可提供各种管道和burst SRAM,能够满足多种价格及性能的应用。今年,该公司与业界其它几个主要的制造商合作开发出了用于SRAM和NOR闪速存储器产品的标准堆栈多芯片封装(MCP)。MCP支持从4至128Mb的NOR闪速存储器和从1至128Mb的SRAM。

计划

NEC Electronics将继续集中于针对PC-cache应用的SRAM,同时计划扩展到其它市场领域。它将推出用于网络互连的电信4Mb和8Mb标准同步SRAM。NEC还计划推出适于移动市场的4Mb低功率SRAM。

Samsung Semiconductor Inc.

3655 N. First St.

San Jose, Calif. 95134-1713

(408) 544-4124

发展

Samsung称,在过去几个月里,它已开始减少在PC-cache市场的投入,而转向电信及网络市场。该公司推出了用于移动市场、工作于1.8V电压的4Mb和8Mb SRAM。Samsung宣布还将为网络应用推出一系列频率为600MHz的新型高速DDR同步SRAM。该公司说,它们已从旧的DRAM加工厂转移,提高了SRAM加工厂的生产能力。

计划

Samsung称将继续推出用于工作站及服务器的Level 3 SRAM。

Toshiba America Electronic Components Inc.

9775 Toledo Way

Irvine, Calif. 92618

(949) 455-2000

发展

2000年3月,Toshiba宣布推出低功率8Mb SRAM及采用堆栈多芯片封装的8/64Mb NOR闪速存储器件。高速SRAM产品部业务拓展经理Paul Liu 说:“随着性能的提高,密度肯定会越来越高。”

“这一市场过去一直面向cache应用,但今天却将其50%放在网络应用,因为网络应用潜力无限。”去年夏天,该公司称可提供16Mb异步高速SRAM的样品,它有三种速度和4种配置的版本。Toshiba已开始提供用于高速网络领域的9Mb同步SRAM??NtRAM的样口。

计划

该公司称,在未来的几个月里,其目标是为网络及高速cache应用开发新产品。

Winbond Electronics Corp. America

2727 N. First St.

San Jose, Calif. 955134

(408) 943-6666

发展

Winbond可为PC、磁盘驱动器、调制解调器、游戏、数据银行和扫描仪、以及传真机/打印机应用提供高速、低功率SRAM。

计划

为了满足用户的应用需求,该公司将提供密度更高、工作电压更低并具有超低功耗的SRAM,以延长电池寿命。新的SRAM还要满足通信市场的要求,即具有更高的容量和更高的速度,该产品包括速度为133MHz和200MHz的4MHz、8MHz和16MHz SRAM。