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2025 FOMS 智能制造领航者高峰论坛

技术

在电池供电应用中用MR传感器替代磁簧开关的四个理由
在固态传感器发展之前,磁力动作的磁簧开关已经广泛应用了数十年之久,为位置传感提供了久经考验且价格便宜的解决方案。随着霍尔效应技术的发展,霍尔效应传感器开始在一些电池供电的应用中取代磁簧开关,如手机、笔记本、消费电子和白色...     [全文]
开关电源的间歇振荡
开关电源的间歇振荡,是一种较为常见的故障现象,故障率远远高于无输出电压、输出电压偏高或偏低,其检修难度和故障表现,也复杂于上述三种故障。其表现为:输出电压时高时低或时有时无,伴随轻微的“嗒、嗒”声,或“唧咦,唧咦”声。 ...     [全文]
预防跨步电压触电的措施
(1)利用多种形式,各种宣传媒介,进行安全用电常识的宣传工作,讲跨步电压触电的危害及后果。 (2)每年对供电区的全部电力设备进行春检和秋检,落实安全措施,堵塞漏洞,预防事故的发生。 (3)架空线和接户线要经常维护,定期进行全面...     [全文]
高频开关整流器的工作原理
1、设备环境高频开关整流器的工作原理 开关电源是连接市电电网与通信设备之间的电源转换设备,基本电路包括两部分。一是主电路,二是控制电路,主电路高频开关整流器中的核心部分是高频功率变换电路,开关电源是利用高频脉冲信号控制电...     [全文]
皮尔磁:设计SRP/CS - 您是否考虑过使用气动元件?
几乎所有的机器都具有控制电路,而且大多数机器的安全防护将与控制系统的安全相关部件(SRP/CS)相连。虽然我们投入了大量关注和资源,旨在确保SRP/CS的电气部件、组件以及结构和设计的安全性通常能够满足相关机器的安全要求,但气动系统则...     [全文]
变压器短路电压和短路阻抗的区别
变压器短路电压和短路阻抗没有区别,短路电压就是短路阻抗。不过现在在电力变压器国家标准中,规范的叫法是《短路阻抗》。电力变压器国家标准(GB 1094.1)中,是这样描述的:短路阻抗(一对绕组):在额定频率和参考温度下,一对绕组中某一绕...     [全文]
如何从西门子低压产品上查找完整订货号?
我们在咨询技术问题或者购买备件时,如果能够知道产品的完整订货号,往往可以做到事倍功半,那么西门子低压产品的完整订货号在哪儿可以看到呢? 下面我们就针对3WL 3WT 3VL 3RT产品订货号位置进行一下说明。 大部分客户都会选定抽出...     [全文]
多单晶硅太阳能电池板的区别
多晶硅是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。 在太阳能利用上,单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲,要使太阳能发电具...     [全文]
半桥电路工作原理及应该注意的几点问题
在PWM和电子镇流器当中,半桥电路发挥着重要的作用。半桥电路由两个功率开关器件组成,它们以图腾柱的形式连接在一起,并进行输出,提供方波信号。本篇文章将为大家介绍半桥电路的工作原理,以及半桥电路当中应该注意的一些问题,希望能够...     [全文]
安森美半导体新一代外围组件快速互连(PCIe)方案
网络/无线/云计算、数字消费、自动测试设备(ATE)/工业等应用市场的不断发展令时钟技术在性能和灵活性的结合越趋重要,而且越来越多的应用要求实时时钟在宽温度范围内有极高的计时精度。安森美半导体(ON Semiconductor)为满足市场对更高时...     [全文]
电源的分类
一、两个容易混淆的概念:电源与电源转换器 电源(Power Supply)原始定义:把其他形式的能源转换成电能的装置叫做电源。 电源转换器(Power Converter):能够将电力能源的形式进行控制、转换的装置。按转换类型的不同,又可细分如下:...     [全文]
常用机械式低压电器
生产机械中所用的控制电器多属于低压电器,它是指在电压在500V以下、用来接通或断开电路,以及来控制、调节和保护用电设备的电气器具。 电器按动作性质可分为以下两类: (1) 非自动电器:这类电器没有动力机构,依靠人力或其他外力...     [全文]
隔离开关的安装方法及步骤
1.按设计要求,在指定位置预埋好开关座的底脚螺栓和操作机构的支架。用人力或起吊工具将开关本体吊到安装位2,用水平仪找正、找平后将其紧固。 2.配置延长轴。若开关的联动轴需要延长时,可加装延长轴。延长轴用轴套与开关传动轴相连接...     [全文]
常见电子元器件损坏的故障特点
1.电阻损坏的特点 电阻是电器设备中数量最多的元件,但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广,其损坏的特点一...     [全文]
IGBT的工作特性
IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。 当栅极施以正电压时,MOSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通。此时从N+区注入到N-区的空穴(少子)对N-区进行电导调制,减小Ⅳ区的电阻Rdr ,使阻断电压高的IGBT也具有低...     [全文]
  
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