安森美半导体推出最小的 65 W USB-PD 适配器方案， 使用行业标准的超结 FETs

　　2018年3月7日，推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON) 推出世界级全新的高密度电源适配器方案，用于需要兼容 USB 供电(USB PD)或高通 Quick Charge™ 规格的笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备。这一包含多项正待批专利的方案，包括有源钳位反激(ACF)控制器 NCP1568 和一个相应的高速半桥驱动器 NCP51530。该方案是一个 65 W 符合 USB-PD 的适配器，具有 30 W/in^3 的功率密度，以94.5%的峰值能效工作。

　　NCP1568 是一款高度集成的 AC-DC 脉宽调制 (PWM) 控制器，采用 ACF 拓扑结构，包含零电压开关 (ZVS)，用于要求高功率密度和高能效的高频应用 (高达1 MHz)。此外，NCP1568 控制器可以应用经验证的超结 (SJ) FET 或高性能氮化镓 (GaN) FET 的 ACF 拓扑结构。

　　通过包含高压启动，一个基于 NCP1568 的方案只需少量外部元件，降低待机能耗。此外，工作的高频率使无源元件尺寸得以缩减，大幅提高功率密度。它能够无缝过渡到非连续导电模式(DCM)，进一步提高轻载条件下的能效，使待机功率水平低于30毫瓦(mW)。这也使电源设计人员能通过全球能效监管标准。自适应 ZVS 频率调制提供可变输出电压，优化 USB-PD 和快速充电的实施。

　　NCP1568 采用小型 TSSOP-16 封装，具有多重保护功能。静音跳跃功能消除工作时的可闻噪声，这是室内电源适配器应用的一个基本需求。

　　NCP51530A/B 是700伏 (V) 高频率、高端与低端驱动器，可直接驱动高性能电源应用中的两个 N 沟道功率 MOSFET。其特点是快速的动态响应，30纳秒 (ns) 的传播延迟对于高频工作是理想的，而 5 ns 的传播延迟匹配确保领先市场的能效性能。

　　这器件提供非常强固的方案，具有高dv/dt免疫性(高达50 V/ns)和负瞬态免疫性。它采用 SOIC-8 或 DFN-10 封装，后者提供了改进的爬电距离和一个裸露焊盘。另有一个采用 SO-8 封装，通过 AEC-Q100 认证的版本，适用于高要求的汽车应用。

　　安森美半导体 AC-DC 业务部市场与应用总监 Ryan Zahn 表示：“这方案代表现代电源适配器和电池充电器设计的重大进步。NCP1568 ACF 控制器具备先进的功能和灵活的操作，提供卓越的能效;同时使用了 SJ FET，且只需少量外部元件，实现 USB PD 的高密度设计。 NCP51530 驱动器是一款高速、高性能、强固的电源方案，亦包括针对汽车应用的 AEC Q-100 认证选择。”

　　安森美半导体现提供 NCP1568 和 NCP51530 样品，并将于2018年第二季度全面量产。

　　安森美半导体于3月4日至8日在美国德克萨斯州圣安东尼奥市举行的 APEC 2018#601展台展示 NCP1568 和 NCP51530。