东芝与英特尔和三星电子携手开发新芯片技术

　　东芝与英特尔和三星电子计划建立一个财团，并邀请约10家半导体材料及相关企业加入，以到2016年共同开发出半导体线宽减半至近10纳米的新芯片技术。

　　综合媒体10月29日报道，东芝公司（Toshiba Corp.）将与英特尔（Intel Corp.）和三星电子(Samsung Electronics Co.)共同合作，以到2016年开发出半导体线宽减少逾一半至近10纳米的技术。

　　据《日经新闻》（Nikkei）10月29日早刊报道，这三家芯片制造商计划很快建立一个财团，并邀请10家左右的经营半导体材料及相关领域的企业加入。这些企业中预计将包括全球最大光致抗蚀剂生产商JSR Corp.、世界排名第1和第2的光掩膜制造商大日本印刷公司（Dai Nippon Printing Co.）和日本凸版印刷公司（Toppan Printing Co.）、以及世界排名第2的芯片制造商东京电子（Tokyo Electron Ltd.）。 这个财团将在茨城县筑波公私合营工厂开展研发工作。

　　日本经济产业省（Ministry of Economy, Trade and Industry）预计将为该研发工作约100亿日圆的启动资金提供约50亿日圆资金，其余部分可能将来自于财团成员企业。

　　这将标志着首次有日本公私合营半导体开发项目接纳了外国芯片制造商为主要成员企业。日方认为，考虑到大量的开发成本和竞争的加剧，最好的选择是与全球第一大及第二大芯片制造商英特尔和三星电子携手合作。

　　该财团的工作将集中于半导体微影制程技术，该技术用于 (0)(0)评论此篇文章其它评论发起话题相关资讯财讯论坛请输入验证码创建硅片电路。

　　随着紫外线曝光设备预计将于2012年或以后登录市场，最小的理论半导体电路宽度将减少到10纳米。但实际上大规模生产的线宽接近这一数字的芯片将需要诸如光刻胶树脂和光掩膜等材料的改进，以及芯片制造设备的改良。

　　东芝和三星电子计划利用该技术制造10纳米级NAND闪存和其他芯片。更窄的电路预计将使内存芯片的存储能力增加两倍，从而使一张邮票大小的芯片容纳400千兆字节成为可能，即相当于约100个高清晰度电影。

　　英特尔可能将利用这一技术开发更快的微处理器。