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MIPS 40nm USB 2.0高速物理层IP获USB-IF认证


http://www.iianews.com MIPS 40nm USB 2.0 高速 物理层 IP 获USB-IF认证 2009年03月20日

  MIPS 科技(MIPS Technologies, Inc)宣布,该公司的40nm USB 2.0高速物理层(PHY)IP已获得USB-IF 认证,并达到台积电(TSMC)TSMC9000 40nm LP工艺标准。MIPS科技公司拥有全球数量最多的USB IP认证,可支持多家代工厂和技术节点,其中主要是台积电的工艺技术。

  各类新一代消费电子产品都朝着外型精巧、节能省电趋势发展,因此USB集成解决方案也必须满足这样的需求。MIPS科技的USB 2.0高速物理层IP面积小于0.6mm2,功耗低于80mW,是一个非常紧凑和低功耗的解决方案。该解决方案先进的可编程能力有助于开发人员调整系统模拟参数,达到芯片的最佳性能。凭借证明完全符合USB 2.0规范的 PHY IP,消费者可以确保与其它USB 2.0设备的互操作性。

  MIPS科技公司模拟业务部物理连接解决方案总监Celio Albuquerque表示:“SoC 开发人员正转向先进技术节点,以降低高量产移动产品和其它消费设备的成本,因此需要高质量、可靠、可互操作的USB解决方案。我们很荣幸地宣布,MIPS 科技推出的业界首个 40nm USB PHY IP 和首个 USB 认证的 45nm1.8v USB PHY IP是我们新的里程碑。作为台积电的合作伙伴,我们承诺将针对最先进的技术节点,尽快提供成熟的IP,帮助客户以最低成本和最快的集成,迅速将产品推向市场。”

  台积电公司设计架构市场营销高级总监 S.T. Juang 表示:“通过与MIPS科技等IP伙伴密切合作,我们为先进工艺提供了高质量USB PHY IP技术。MIPS科技的USB 2.0 PHY产品符合我们在40nm节点的TSMC9000标准。凭借 MIPS科技40nm 认证 USB PHY与台积电技术的完美整合,客户将能获得开发新一代产品所需的高质量、低功耗解决方案。”

  MIPS科技拥有强大的USB技术和资深专业工程支持团队,可提供市场上最丰富的USB IP组合,并为包括半节点在内的所有主要代工厂和工艺提供硅验证和认证解决方案。MIPS科技在全球拥有超过90家USB PHY IP客户,超过200个USB 2.0 PHY 安装实例,以及超过30个 USB 2.0大规模生产的产品。截至目前,MIPS科技共生产了超过2亿颗高速USB芯片。MIPS科技是业界第一家为 USB PHY 提供2.5v和1.8v 晶体管的厂商。

 
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