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英国剑桥大学(University of Cambridge)的两位教师于四年前创办的Cambridge Semiconductor公司日前透露,其技术基础乃采用MEMS??S工艺技术,在一条横跨由晶圆背部蚀刻空间的薄硅悬臂梁内,构建一种侧向功率半导体器件。这种技术有时也被称为Silicon-on-Nothing或SON。
该公司工程师在日前举行的国际电子器件大会(IEDM)的一篇论文里介绍了制造技术及IGBT的细节。据该公司称,结果是制成了最快的高压侧向绝缘门双极型晶体管(LIGBT),在常用于先进逻辑的CMOS绝缘硅晶圆上加工可以获得更进一步的优势。该公司预计其技术将对如何研制离线电源、电源有多大及成本产生重要影响。
为了制造高速功率晶体管,Cambridge Semiconductor移去了晶体管漏极连接下的衬底,采用晶圆氧化物层作为蚀刻停止层。利用功率晶体管下方的空间显著增强了可达到的击穿电压。
这家公司声称已经内部开发出了首款产品,但不愿意透露其更多细节。
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