当沉浸光刻(immersion lithography)成为当今的头条新闻时,另外一种大有希望的技术—纳米压印光刻(nano-imprint lithography)浮出水面。
该技术的主要供应商之一Molecular Imprints Inc.(MII)宣称,纳米压印技术已被纳入2003版的国际半导体蓝图(ITRS)。纳米压印光刻目前被排在ITRS蓝图32纳米节点。32纳米节点有望在2009年的时间框架内出现。
这条新闻“为芯片制造商涉足压印光刻技术吃了一颗定心丸,”MII公司CTO S.V. Sreenivasan表示。“MII携手战略合作伙伴,包括Lam Research、KLA-Tencor、Motorola、DARPA和其它公司,共同降低新技术带来的风险。这项新技术有可能提前走向市场,尤其应用于关键层。”
与此同时,这项公告也为下一代光刻技术(NGL),称为极超紫外线(EUV)的开发和生存能力投下了更多阴影。EUV原本预定到2007年投入主流应用,但英特尔和其它公司把该技术推迟到2009年左右。
基于沉浸技术的光刻技术正在快速进化,有可能把EUV推向绝境。而纳米压印光刻将被作为MEMS、光器件和其它产品制造的一个细分解决方案。
正在开发纳米压印工具的几家名不见经传的公司有EV Group、MII、Nanonex、Obducat等。
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