|
|
日前举行的2003年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,日立与三菱的合资企业瑞萨科技(Renesas)公司宣布开发出一种绝缘硅形式的CMOS,可以在比传统的CMOS能量耗费更低的情况下提供高性能的动态门限电压。
瑞萨科技表示,SOI晶体管结构的1 Mb SRAM的试验产品采用130纳米SOI CMOS工艺,与传统的CMOS相比,操作电压的从0.6V降低到0.5V,减少大约20%。同时在更高的电压时操作速度大约为35%,这种技术适用于要求节省功率的微控制器和系统级芯片逻辑器件领域。
通常,简单的减少电路操作电压确实能导致功率消耗的减少,但通常会降低性能,并且在相当大的程度上减少计算效率,并且会出现漏电流在整个电流中的比例增加。
瑞萨科技的SOI设计包括一种专有的混合沟道隔离(hybrid trench isolation)技术,允许根据晶体管操作状态实现动态的门限电压控制,而没有任何区域或者寄生的电容的增加。
ABB以电气问题解决专家之志，回答未来之问。讲述与中国用户携手开拓创新、引领行业发展、推动绿色转型的合作故事，共同谱写安全、智慧和可持续的电气化未来。
2026中国国际工业博览会(简称“中国工博会”)定档于2026年10月12日-16日在国家会展中心(上海)举办。
新型工业化是当前我国制造业发展的核心战略方向，作为工业AI赛道头部企业，研祥通过旗下研祥智能、研祥金码、亿万克三大品牌，
微信扫一扫，关注IIANews公众号
微信扫一扫，进入IIANews微网
京公网安备 11011202001138号
