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传感器

进一步扩展丰富华虹NEC工艺线,0.35微米BCD开发项目进展顺利

  2007年06月11日  

上海华虹NEC电子有限公司近日宣布,公司与其技术合作伙伴共同开发的一个新技术项目——0.35微米BCD工艺进展顺利,已取得显著成果。

目前,该工艺条件已经确定,EDR、TDR、Device Model、PDK、Standard/Digital Cell以及Library已基本完成。预计公司可在第三季度完成0.35微米40伏BCD工艺的开发,并向客户开放使用。华虹NEC将运用此工艺为客户提供模拟/电源管理、汽车电子等芯片市场的代工服务,尤其致力于拓展其专注的模拟/电源管理战略市场的发展。

BCD工艺集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件,综合了高速、强负载驱动能力、集成度高和低功耗的优点,可提高系统性能,具有更好的可靠性。电子产品功能与日俱增,对于电压的变化、电容的保护和电池寿命的延长要求日益重要,而BCD所具备的高速节能的特点满足对高性能模拟/电源管理芯片的工艺需求。华虹NEC总裁刘文韬表示,“BCD项目将进一步扩展丰富华虹NEC的工艺线,并且确立公司在模拟/电源管理领域的领先地位。”

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