飞思卡尔半导体公司推出其130纳米版本的智能电源技术SmartMOS 10,综合了电源、模拟和数字电子技术,降低电源设备漏电,与先前一代的技术相比,使电池寿命延长20倍。
在手机和消费电子产品等移动设备中加入这种技术将使系统设计能够加入更多的电源、模拟和数字功能。
飞思卡尔表示这种技术使FET、电阻和电容之间的模拟匹配性能增加一倍,提高模数转换效率,并能够支持30伏电压,提高LED背光性能、亮度和均匀性,支持加入高速低漏电数字功能。
首批SmartMOS 10产品有望于2008年推出。
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飞思卡尔半导体公司推出其130纳米版本的智能电源技术SmartMOS 10,综合了电源、模拟和数字电子技术,降低电源设备漏电,与先前一代的技术相比,使电池寿命延长20倍。
在手机和消费电子产品等移动设备中加入这种技术将使系统设计能够加入更多的电源、模拟和数字功能。
飞思卡尔表示这种技术使FET、电阻和电容之间的模拟匹配性能增加一倍,提高模数转换效率,并能够支持30伏电压,提高LED背光性能、亮度和均匀性,支持加入高速低漏电数字功能。
首批SmartMOS 10产品有望于2008年推出。
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