可以准确控制纳米碳管长成位置的单层纳米碳管(Single-Walled Carbon Nanotube,SWNT)定位成长技术,近日由台湾地区工研院电子所与化工所合作开发成功。该技术采用与现有半导体制程兼容的材料与制程,可直接制作在4~8英寸硅芯片基板上。
台湾地区电子所纳米电子组件技术组组长蔡铭进指出,国内外现有纳米碳管场效晶体管制作技术大多以涂布方式进行,所以长成的奈米碳管为随机分布,位置无法准确控制。而这个新的单层纳米碳管定位成长制程开发出的碳管具有金属性或半导体性,在作为高效能金属连接线以及作为纳米碳管晶体管数组之用方面极具可行性。
这项新技术由台湾地区工研院化工所进行奈米碳管成长层(内含触媒)配方之开发与碳管成长参数之调整；电子所则负责定位成长制程之设计、整合以及成长试片制作。
据了解,在IC工艺微缩的趋势下,以硅晶圆为基础的组件工艺已逐渐面临光学与物理学上的技术瓶颈与巨额研发投资的压力。各国研究人员均尝试以各种纳米级分子制作各式的纳米晶体管,以便能够在相同芯片面积内放入比传统多出数百倍以上的晶体管数目,达到IC产品微缩的目的。
而在各种纳米晶体管的技术研发中,由于纳米碳管具有高导热度、高导电度、高电流承载能力和纳米级尺寸等特性,以其为基本组件架构的相关技术发展迅速,其应用之可行性也广为研究人员所看好,预期将成为未来纳米级IC产品的最佳材料之一。
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