由于有第三方方案的优势,ARM现正向内部开发的存储器内建自测试(BIST)和内建自修复(BISR)方案进军。ARM目前推出的新型emBISTRx将Artisan的优点及Metro存储编译器集成于一身。
与其它需将不同控制器类型用于不同类型的存储器方案所不同的是,emBISTRx采用一种具有集中BIST/BISR控制器的分层式分布架构。与现有BIST方案比较,据称这种方法可减少20%-30%的面积。
新推的emBISTRx还可减少互连和布线拥塞的次数,从而节约了面积并加快了时序收敛。而且,它会提供一种自动工具将BIST和BISR逻辑插入并缝合到设计中,同时也包括了能检测如泄漏、弱位、阻抗短路及开路一类缺陷的算法。
ARM公司物理IP部门的高级产品营销经理Ramamurti Chandramouli表示:“ARM开发其自有技术是因为对嵌入式存储器的物理方面的深入理解。通用EDA工具没有对存储器IP(知识产权)拓朴及物理架构的接入能力,它们缺乏处理故障记录的知识,并且对某一特殊存储器设计方法缺少认知。一些第三方工具都不支持行和列修复。”
Chandramouli指出,emBISTRx方案可通过分配测试并修复跨越嵌入式存储器子系统的多层级水平来简化设计。ARM公司的集成测试与修复架构使时序收敛更快,并使重复设计次数降低到最小。
Chandramouli强调:“在竞争对手的方案中,由于捕捉非现实故障的运算法则速度很慢,进而加重测试及修复方案的复杂性和面积,相反,ARM公司emBISTRx方案已经简化了以真实世界故障为重点的测试和修复算法,从而且实现更优的质量和可修补性。”
京公网安备 11011202001138号
