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摩托罗拉日前表示,已向霍尼韦尔公司(Honeywell Inc.)提供MRAM非易失性内存芯片技术的使用许可。据称,这项协议预计将增强霍尼韦尔为军事和航天应用开发抗辐射(radiation-hardened)MRAM的能力。
霍尼韦尔计划把摩托罗拉的MRAM内存元件与它的抗辐射绝缘硅技术相结合。霍尼韦尔希望开发一种内存芯片,能够在卫星和军事应用等严酷的运行环境中提供数据稳定性。
“摩托罗拉的MRAM与霍尼韦尔的绝缘硅抗辐射工艺相结合,将会产生新型的具有革命性的芯片,使数据存储得到改善。”霍尼韦尔的精密传感器与元件事业副总裁Eric Doremus表示。
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