飞利浦(Philips)日前透露,Philips Research的科学家与荷兰格罗宁根大学(University of Groningen)的研究人员在3月份的“自然材料(Nature Materials)”杂志上发表一份论文,详述了采用塑料实现非易失性存储器的技术。
飞利浦称,研究小组在全球率先展现了符合商用塑料电子应用(如RFID标签)性能要求的非易失性塑料存储器技术。
此前,英特尔与挪威Opticom ASA的一个研究组织已合作多年,开发多层非易失性塑料电子存储器。但英特尔近期表示,在判定与Opticom研究的聚合物存储材料原理不适合应用到该公司产品之后,英特尔将砍掉聚合物存储器研究项目。
格罗宁根大学大学与飞利浦合作开发的非易失性存储技术,采用门介电质由聚合物铁电材料组成的有机场效应晶体管(FeEFT)。由于每个状态稳定,在电压脉冲过后维持时间长,这种晶体管可以作为存储器件使用。两个状态之间的电荷差改变晶体管的阈值电压(turn-on voltage,接通电压),这意味着通过给晶体管漏级电极施加电压而检测在沟道内是否有电流,存储器的内容能被读出来。
尽管FeFET结构以前已被研究过,该研究小组利用低温低成本技术率先研制出了短编程时间、长数据保持时间和程序周期耐久性的器件。飞利浦表示,随着闪存已成为硅基消费电子器件,非易失性存储器转向塑料电子将愈发重要。
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