Elpida Memory公司与Ovonyx公司日前签署了一项DRAM潜在替代技术的授权协议。根据协议,作为非易失性相变存储器技术开发商,Ovonyx公司将积极支持Elpida公司进行Ovonic
Universal Memory(OUM)相变存储产品商业化。Ovonyx称,OUM可用于微控制器和可重配置MOS逻辑等许多领域中的DRAM替代等应用,以及嵌入式应用。
除Elpida外,英特尔公司和意法半导体(ST)公司也获得了这项技术授权的还有。该技术试图采用一种硫化物合金(通常是碲化锑合金和碲化锗合金),在无定形状态和晶体状态之间探求可逆相变。
Elpida总裁兼首席执行官Yukio Sakamoto表示:“Elpida计划采用Ovonyx的相变技术进一步探索开发新的DRAM特性,这些特性将提供下一代移动应用所要求的高性能和低电流消耗。”
但是,这项技术进入商业阶段还是非常缓慢的。英特尔于2000年2月宣布与Ovonyx签署授权协议,但Azalea微电子为英特尔制造4Mb OUM原型的计划尚未确定。意法半导体于2000年12月首次宣布与Ovonyx合作的计划,直到2004年5月,这家欧洲芯片制造商仍称还在进行产品开发阶段。
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