在日前举办的微处理器论坛(Microprocessor Forum)上,Rambus公司宣布,计划在2006年将其下一代XDR DRAM技术打入PC主流内存市场。2003年7月份,Rambus公司解开了下一代存储器接口技术的面纱,并提供了一些技术细节,该技术原名为Yellowstone。由Rambus公司连同日本东芝公司和Elpida Memory共同推出,现在名为XDR DRAM。
据Rambus公司公司表示,XDR DRAM运行于3.2GHz,比现有PC存储器的带宽要高8倍。东芝和Elpida Memory预计将在2004年开始推出XDR DRAM产品,2005年开始进行量产。据悉,三星电子也获得了该技术的专利许可。
Rambus已经对将XDR推入PC主流内存市场的各种因素进行了研究,包括提供XDIMM内存模块、可编程XDR DRAM、缓存、连接器、时钟发生器、全面的系统设计方案和相关文档。“现在PC主流内存系统性能受限主要是由于采用单端信号和多站式数据总线(multi-drop data busse)。”Rambus公司内存接口部副总裁Laura Stark表示,“微分信号和Rambus的novel Dynamic Point-to-Point模块升级技术允许用户将内存系统最大化,而不会影响到性能。”
另外,Rambus和东芝公司将对东芝的ASIC评估芯片和Rambus的Redwood并行逻辑接口进行模拟测试,该新款评估芯片采用东芝的90纳米ASIC工艺,运行速度达6.4GHz。
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