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芯原发布针对中芯国际0.15微工艺的标准单元库

  2003年10月14日  

系统级芯片智能模块供应商芯原微电子,日前正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司0.15微米一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library),输入/输出单元库(I/O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dual port SRAM)的存储器编译器,单/双口寄存文件存储器(register file)以及扩散可编程只读存储器(diffusion programmable ROM)。

该标准设计平台采用最新的电子模型,为中芯国际0.15微米(G/LV)工艺技术量身定制的。该平台已经通过中芯国际多项目硅片原型服务(MPW)得以验证。此外,该设计平台还支持业界的主流电子设计自动化工具,诸如益华计算机(Cadence)、Magma、明导科技(Mentor)和新思科技(Synoposys)等EDA工具。

“我们很高兴看到我们在美国的主要客户采用芯原0.18微米标准单元库,成功生产出第一片几百万门级的芯片。”芯原微电子总裁兼总执行长戴伟民博士说,“如同去年我们发布中芯国际0.18微米标准设计平台一样,这也是芯原第一次为中芯国际0.15微米一般性和低压工艺技术提供硅验证标准平台。”


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