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飞思卡尔声称领跑90纳米工艺,05年中进行65纳米流片

  2004年11月17日  

日前在德国慕尼黑举行的Electronica展会上,飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)公司高级管理层声称已在90纳米制造工艺技术的部署上占据领先地位。

该公司管理层表示,该公司不但是90纳米技术的领头羊,并且能在2005年中期采用与Crolles2联盟开发的65纳米制造工艺制造第三代通信芯片。该联盟总部位于法国Crolles意法半导体(ST)的工厂内,由意法半导体、飞利浦半导体和飞思卡尔组成。此外,这三大巨头还依照台积电的部署调整了其工艺蓝图。

飞思卡尔欧洲区总经理Denis Griot在慕尼黑举办的展会新闻发布会上表示,“我们已经采用CMOS90生产出了基带芯片。2005年第一季度就将用于制造手机。”当被问及飞利浦声称已在90纳米流片6项设计,飞思卡尔有多少流片时,他表示,该公司正在流片一系列蜂窝基带芯片和应用处理器,到2005年第一季度将有6种流片问世。


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