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宏力采用ARM物理IP扩展其0.18和0.13微米工艺

  2005年12月22日  

上海宏力半导体制造有限公司和ARM公司日前宣布,双方已达成第一个授权协议。ARM公司将开发一套Artisan物理IP来支持宏力公司0.18微米和0.13微米的工艺技术。该协议将使宏力公司可以接触到全球几千家采用ARM物理IP的用户,从而扩展其国内及全球的制造战略。

“ARM产品在SoC设计领域内一直是领先的物理IP解决方案,” 上海宏力半导体制造有限公司市场行销执行副总裁郭天全博士表示:“我们和ARM的合作将扩展我们在全球的影响力,并给客户提供通过生产验证的高质量产品,帮助他们缩短设计周期,最大程度降低风险并加快上市时间。”

这次授权的ARM物理IP产品包括Artisan SRAM, ROM和注册文件存储发生器,以及支持宏力公司0.18微米和0.13微米工艺的SAGE-X标准单元库和多用途I/O库。这个IP符合Artisan设计标准并包含ARM支持行业领先EDA工具的广泛的工艺库和模型。此外,该协议使ARM可以通过其Access Library计划向全球的授权设计团队免费提供基于宏力技术的物理IP。

可以立即通过ARM网站免费下载用于宏力公司0.18微米生产的ARM存储发生器、SAGE-X标准单元库和多用途I/O的前端工艺库。这些产品的完整工艺库将于2006年第一季度上市。

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