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Soitec借并购案获薄层迁移技术,涉足晶圆级封装新领域

  2006年06月21日  

绝缘硅晶圆(Silicon-on-insulator wafer,SOI)供应商Soitec近日宣布它已经跟TraciT Technologies公司签约达成协议以兼并其所有股份。TraciT Technologies SA公司专业提供薄层迁移技术,该技术利用了分子粘附力和机械力以及用于生产微电机(MEMS)系统和电源电路的化学稀释工艺。

通过此次兼并,Soitec表示它希望扩展知识产权并由此进入新的电子市场。“工艺齐全的电子电路转移技术在晶圆级封装中拥有短期应用。”

“TraciT Technologies公司在先进材料上的接近和补充特性以及与我们企业文化的相似性,为我们的战略合并奠定了可靠的基础,这将有助于加速驱动TraciT Technologies在Soitec集团内部开发新的技术," Soitec集团总裁兼首席执行官Andre-Jacques Auberton-Hervé说。

TraciT成立于2003年四月,它是CEA-Léti(电子信息技术实验室)的下属企业。TraciT Technologies采用直接晶圆邦定技术和机械稀释邦定实现了工艺的工业化。这些技术适合于在全晶圆上实现层转移和裸片转移。

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