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新思科技(Synopsys)表示,联电(UMC)已采用其高压工艺MOS晶体管模型(high-voltage MOS (HVMOS) transistor model),并为采用HSPICE simulator的客户提供模型参数,预计能减少一半的模拟时程,同时可获得更精确的结果。
新思的HVMOS model具备各种关键技术,可妥善处理高电压晶体管遭遇各种物理作用时所产生的问题,进而提升模拟的精确度,降低芯片设计反工(re-spins)时的风险,达到客户对提升结果质量(quality of results)及上市时程(time to results)的要求。
UMC现已在高压工艺中采用新思的HVMOS模型并加以验证,然后提供给0.25um及0.18um客户。UMC的高压工艺技术已广泛应用在LCD与电浆电视驱动器、车用电子、计算机外设、小尺寸直流马达控制器、DC-DC转换器、电源管理及消费性电子产品等领域。
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