台积电量产0.18微米40V工艺,增强手持终端显示器性能

台积电(TSMC)日前宣布使用0.18微米40伏特高电压工艺技术,为客户量产手持式薄膜液晶显示器(TFT LCD)芯片。此项工艺技术为客户提供系统级芯片(SoC)解决方案,能够减少先进手持式产品显示器芯片的数目、缩小基板面积、节省耗电量以及增加显像性能。

通过台积电此项0.18微米工艺技术,芯片设计人员能够将LCD源极驱动芯片(Source Driver IC)、闸极驱动芯片(Gate Driver IC)以及电源管理芯片整合在一起,以降低显示器芯片数目,并延长液晶显示器电池寿命。此外,芯片设计人员也可以选择开发更高度整合的系统级芯片,进一步将应用于移动电话高端视频图形阵列(Video Graphics Array, VGA)的图形控制芯片以及薄膜或彩色屏幕驱动芯片整合在一起。

台积电行销副总经理胡正大表示:“0.18微米40伏特高电压、低耗电量制程技术是芯片设计人员期盼已久的突破性工艺技术。随着台积电量产此项工艺技术,显示器芯片将进入一个崭新的世代。”台积电此项工艺具备卓越的隔绝(isolation)技术,能够高度有效地整合1.8伏特、5伏特以及40伏特三种不同电压电路。同时,此工艺技术能将噪声(noise)降至最低,并可以有效避免电路闭锁(latch up)的问题,以确保器件正常运作并延长器件的寿命。

此项0.18微米40伏特高电压工艺技术系台积电0.18微米低耗电量工艺技术的衍生技术,不但与原工艺技术完全兼容,并支持其所有逻辑及模拟硅IP。因此,除了降低耗电量以及减少芯片尺寸大小之外,还能降低客户设计成本。同时,有鉴于芯片设计人员对于个人手持产品显示器芯片品质的最佳化的不同需求,台积电预计于2005年推出显示器图像性能一次可编程(one-time programmability, OTP)及多次可编程(multiple-time programmability, MTP)功能的特殊硅IP；使用此两项特殊硅IP不须增加任何芯片生产工艺步骤。

台积电同时提供客户晶圆0.18微米40伏特高压工艺技术的晶圆共乘(CyberShuttle)服务,供客户快速及以较低的成本进行芯片验证及工程样品芯片试制,并提供客户包括金凸块(Gold Bumping)等后端测试服务。