台湾新兴闪存制造商重新打造非易失性存储器

台湾地区的新兴闪存制造商力旺电子(eMemory Technology)凭借一种嵌入式非易失性存储器技术,迅速赢得晶圆代工厂、DRAM制造商和集成器件制造商(IDM)的青睐,该公司表示,此存储器比ROM、EPROM或闪存更便宜、更灵活且更易于扩展。

这家位于新竹的公司已经将其Neobit知识产权(IP)授权给特许半导体、力晶半导体(其主要投资人之一)、Renesas Technology和台积电。该公司正在与其它几家芯片制造商进行洽谈,预计不久将获得更多的授权合约。

这些公司都对这种看上去新颖的单元结构非常感兴趣,该结构具有EPROM(一般用于存储程序数据代码)的特性,但它采用一种简单的逻辑工艺,更易于在不同的晶圆厂之间运用。

Neobit瞄准的目标应用是微控制器、RFID芯片和IC智能卡。eMemory还致力于使Neobit成为CMOS影像器中损坏画素的一种修复机制,或者充当普通存储器的一种备用保险丝电路。

尽管Neobit具有EPROM的功能,但eMemory竭力避免与这种广泛应用的嵌入式存储器相提并论。“当你提到EPROM时,人们会想到这是个非常复杂和昂贵的工艺,”该公司总经理徐清祥表示,“EPROM技术很难在不同代的工艺、不同的晶圆厂之间,或者从一种技术到一种衍生技术之间进行移植。”

Neobit是一种可以直接使用的技术,它能在模拟、混合模式或高压工艺中实现。“给我任何你目前采用的技术,我们都能把它设计进去,”徐清祥说。

该公司从两年前开始研发该技术,并且于2002年夏季同Renesas一起完成了早期的设计投片。这家日本的MCU巨头在一个采用Neobit结构的产品上节省了九个掩膜层。徐清祥同时表示,该公司目前也正与特许半导体密切合作。

如果Neobit能兑现它的诺言,那么对于用0.25和0.18微米工艺制造的16和32位微控制器而言,其产品将是更简单的解决方案。目前,台积电和特许正在0.13微米工艺上验证该技术。

与ROM不同,该存储器的编程灵活性允许在工艺处理之前或之后进行编码,这将使MCU制造商在控制存货时有更大的自由。徐清祥估计,Neobit工艺开发将仅仅比逻辑工艺开发落后3至6个月,很接近ROM但远快于EPROM或闪存。“我们的目标是使之成为一项工业标准。在8寸晶圆以及0.25微米以上的技术中,我们将让EPROM不复存在,”他说。

尽管该单元是一次性编程的,但可以添加冗余模块以实现多次可编程阵列。即使加上了这些模块,其面积一般也比E²PROM单元小。在0.35微米工艺中其面积为5平方微米,而E2PROM单元的是15平方微米。徐清祥表示,0.35微米工艺中Neobit的编程电压为6至6.5伏,而E²PROM大约是10伏。

该公司正在不动声色地推出一款名为Neoflash的后续产品,瞄准的是低密度嵌入式闪存应用,如DVD基带芯片,在这些应用中用于存储程序代码的板上闪存仍然太贵。EMemory将为NeoFlash架构申请专利,并承诺约六个月后提供细节。总体来说,该公司将会在Neobit结构上增加一个删除电路,但仍将避免使之成为一种会让逻辑工艺复杂化的高压器件。“如果我们的Neoflash取得成功,它将是一种革命性的技术,因为你可以采用逻辑工艺来嵌入闪存,”徐清祥表示。

作者:柏万宁