在日前举行的国际电子器件大会(IEDM)的讲台上,英特尔公司对阵AMD和IBM的联盟,展示了采用应变硅实现明显性能增益的65纳米晶体管。
英特尔目前正在制造几款65纳米处理器,明年初将开始交付商用微处理器产品。在IEDM大会上,英特尔出示了四款采用65纳米设计规则的双核微处理器图片,包括Yonah移动处理器和代码名为Cedarmill的桌面处理器。
设于印度班加罗尔的英特尔技术印度公司高级工程经理Sunit Tyagi展示了一款性能比90纳米技术改进37%的65纳米晶体管,其附带宾环形振荡器延迟为4.25皮秒。
英特尔在65纳米节点几乎没有做任何改变,不同于在沉积的SiGe区域PMOS器件的源漏区增加锗。内嵌SiGe在PMOS晶体管上产生一压缩应力,比英特尔的90纳米PMOS晶体管改进了30%。
Tyagi表示,英特尔没有像AMD和IBM那样,在PMOS晶体管上添加压缩氮。英特尔决定将工艺保持尽可能简单,以控制成本。
另一方面,AMD德累斯顿的技术专家Andy Wei介绍了AMD的一种新工艺,将其90纳米微处理器翻新,然后用于65纳米设计,并于明年下半年投入生产。IBM-AMD联盟的IBM项目主管Gary Bronner透露,IBM将在最初的65纳米处理器内采用这种新工艺。
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